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成功实现12英寸碳化硅衬底激光剥离自动化解决方案，大幅降低损耗，提升加工㊣速度，推进了碳化硅行业的降本增效。
与传统的硅材料相比，碳化硅具有更㊣宽的禁带能隙□□□、更高的㊣熔点□□、更高的电子迁移率以及更高的热导率，能够在高温□□、高电压条件下稳定工作，已成为新能源和半✅导体产业升㊣级的关键材料，推动电动汽车□□□□、光伏发电□□□□、智能电网□□、无线通信等领域的技术革命。
但衬底材料成本占据整体成本的比例依然居高不下，严重阻碍了碳化硅器件大规模的产业化推广。降本增效的重要途径之一是制造更大尺寸的碳化硅衬底材料。与6英寸和8英寸衬底相比，12英寸衬底材料能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本半导体。
2024年12月，国内碳✅化硅㊣头部企业已披露了最新一代12英寸碳化硅衬底，在引领国际发展趋势的同时，也提出了12英寸以上的超大尺寸碳化硅衬底切片需求。
与之相应，西湖仪器以最快速度推出了“超大尺寸碳化硅衬底激光剥离技术”，率先解决了12英寸及更大尺寸的碳化硅衬底“切片”难题。
西湖仪器创始团队来自于西湖大学纳米光㊣子学与仪器技术㊣实验室，该团队多年来深耕于微纳光电子学领域，包括微纳加工技术及仪器装备□□、微纳光子理论及光电器件
